陳鳳珠：內地限半導體金屬出口以回應持續被制裁
內地商務部宣布，由8月1起對兩種用於半導體的原材料金屬鎵、鍺相關物項實施出口管制，未經許可不得出口。鎵相關物項包括金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵等，其中氮化鎵為最具代表性的第三代半導體材料之一，主要應用在射頻電子、電力電子及光電子領域，為5
G基站、新能源充電樁等新基建建設的核心部件。而鍺相關物包括金屬鍺、區熔鍺錠、磷鍺鋅等，可廣泛應用於半導體、航空航天測控、光纖通信、太陽能電池等領域，為重要的戰略資源之一。
鎵、鍺均為生產晶片所需的關鍵稀有金屬，在自然界不以單質存在，主要微量散存在鋅礦、鋁土礦等礦石中，因此提取難度大。全球的鎵儲量約為27.9萬噸，內地的儲量達到19萬噸，佔全球儲量68%。而去年全球的鎵產量約為300噸，內地的產量達到290噸，產量佔全球逾九成，並供應予歐盟、日本、美國及南韓等國家。另外，內地為全球最大的鍺生產國及出口國，供應全球七成的鍺產品，去年內地累計出口鍺產品為43.7噸。
雖然晶片的重點在於技術和專利，而即使內地限制鎵和鍺的出口，其他國家亦可增加生產以彌補短缺，但相信主要半導體生產國亦會憂慮供應鏈受阻。目前全球能供應鎵和鍺的國家包括美國、日本、南韓、加拿大、俄羅斯等，但內地一直以低價成功爭取市場份額，並於全球處於壟斷地位，雖然其他國家可增加供應，但預期半導體的生產成本或會顯著上漲。
由於美國一直打壓內地的半導體行業發展，而日本已出台半導體製造設備的出口管制措施，荷蘭亦將部分光刻機等半導體相關產品納入出口管制。今次內地限制關鍵礦物出口，除以回應被制裁外，亦希望藉此令其他國家了解，未來應與內地共同發展，推動全球科技及經濟增長，而不是一心單邊制裁內地，限制內地的高科技發展速度，防止內地增強競爭力。內地一直以推動全球經濟發展為目標，亦不斷出口資源、人才及技術以協助發展中國家建設，今次內地對半導體原料實施出口管制相信只為姿態，並非要阻礙全球半導體發展情況。
匯盈集團研究部主管 陳鳳珠(作者為證監會持牌人士，並沒有持有上述股票）
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